1500V 高压 MOS 分立器件 ◆导通电阻低； ◆开关速度快； ◆雪崩耐量高； 了解更多
RC (逆导) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片； ◆通态压降低； ◆可靠性高； ◆成本低； 了解更多
M3i-低饱和压降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆低饱和压降，导通损耗小； ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技术； ◆软开通特性，开通 di/dt 小，EMI 低； ◆关速度快，关损耗小 ◆关断拖尾电流小，软关断特性； ◆正温度系数，适合并联； ◆高的短路电流能力(6us以上)； ◆开关速度快，开关损耗小； ◆TVj max 达175℃； 了解更多
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常州市市委书记汪泉莅临宏微科技调… 2月16日上午，常州市市委书记汪泉带队来我司调研指导工作，市委常… 2019-02-16 了解更多
常州市市长丁纯莅临宏微科技调研指… 12月25日上午，常州市市长丁纯带队来我司调研指导工作，副市长梁… 2018-12-25 了解更多
国家集成电路产业投资基金股份有限… 7月12日，国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁、中国高端芯… 2018-07-12 了解更多
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